西安電子科技大學(xué)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN（氮化鎵）電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。

李祥東團(tuán)隊(duì)與廣東致能科技公司聯(lián)合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設(shè)計(jì)與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產(chǎn)技術(shù)，成功開發(fā)出閾值電壓超過2V、耐壓達(dá)3000V的6英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaNHEMTs晶圓，展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。（剩余355字）