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摘要： 為研究Ag的摻雜濃度對(duì)氧化銦薄膜禁帶寬度、 光開關(guān)比及光探測(cè)率等光電性能的影響， 采用磁控濺射方法在石英（SiO2）襯底上制備不同濃度的Ag摻雜氧化銦（In2O3∶Ag）薄膜， 并利用X射線衍射、 X射線光電子能譜、 掃描電子顯微鏡、 紫外-可見分光光度計(jì)分析In2O3∶Ag薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、（剩余12555字）
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Ag摻雜In2O3薄膜的制備及其光電性能
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