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摘 要:采用硅基MEMS工藝技術(shù)制備了具有微同軸傳輸線與垂直轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)的微同軸芯片。制備工藝采用先干法刻蝕形成硅立體結(jié)構(gòu),再進(jìn)行側(cè)壁選擇性金屬化工藝,形成了包裹金屬的線芯與無(wú)金屬的硅支撐梁。采用上、中、下3層晶圓分別制備了TSV、懸置線芯等結(jié)構(gòu),并通過晶圓級(jí)鍵合形成了完整的微同軸結(jié)構(gòu)。微波測(cè)試結(jié)果表明其具有較低的損耗特性。(剩余6018字)
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硅基MEMS微同軸的工藝技術(shù)
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