混合內(nèi)存架構(gòu)下數(shù)據(jù)放置研究綜述

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摘 要：

當(dāng)前基于DRAM和NVM的混合內(nèi)存系統(tǒng)在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)領(lǐng)域的研究前景廣闊，特別是對(duì)混合內(nèi)存系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)放置的研究已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。對(duì)混合內(nèi)存架構(gòu)下數(shù)據(jù)放置策略進(jìn)行了研究，在介紹當(dāng)前常見(jiàn)混合內(nèi)存架構(gòu)的基礎(chǔ)上，對(duì)現(xiàn)有數(shù)據(jù)放置策略的設(shè)計(jì)思路進(jìn)行了全面分析，主要涉及硬件/軟件機(jī)制、內(nèi)存訪問(wèn)特征、靜態(tài)/動(dòng)態(tài)分析、機(jī)器智能、觸發(fā)方式和粒度選擇等方面，并針對(duì)混合內(nèi)存性能、功耗和耐久性的數(shù)據(jù)放置優(yōu)化進(jìn)行總結(jié)。（剩余25791字）