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摘 要：硅基微顯示（Micro-OLED）工藝中，在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)線路制備時(shí)，需進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）處理，保證金屬互聯(lián)層的穩(wěn)定性及均一性。不同材料對(duì)CMP工藝的耐受性存在差別，切割道或凈空區(qū)通常為介電材料層（SiO、SiNx等絕緣層），較金屬膜層區(qū)域更易受CMP磨損，經(jīng)過多次CMP制程后段差累積加深。（剩余7138字）
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Micro-OLED顯示斜紋Mura的研究及改善
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