氣隙缺陷對GIS盆式絕緣子電場分布特性的影響分析

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摘  要：盆式絕緣子處的氣隙缺陷是導致GIS設備局部放電，進而誘發(fā)故障的主要因素之一。為探究其對絕緣子內(nèi)部電場分布的影響規(guī)律，文章利用COMSOL軟件分別仿真研究無缺陷和氣隙缺陷下220kV電壓等級GIS設備盆式絕緣子內(nèi)部的電場強度分布特性。仿真研究結果表明：無缺陷下GIS盆式絕緣子表面電勢和電場無畸變，呈現(xiàn)圓滑過渡狀，絕緣子表面最大場強3.7kV/mm遠小于SF6氣體擊穿場強10kV/mm，即工況下GIS盆式絕緣子不發(fā)生局部放電;而氣隙缺陷下GIS盆式絕緣子表面最大場強在氣隙缺陷處，氣隙缺陷處最大場強為10.6kV/mm，遠大于空氣體擊穿場強3kV/mm。（剩余3999字）