基于EMR與V_{eE_peak}組合電參數(shù)的IGBT模塊封裝老化監(jiān)測(cè)

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摘 要：該文提出一種基于電磁輻射干擾（EMR）與VeE_peak組合電參數(shù)監(jiān)測(cè)IGBT模塊封裝老化的方法，旨在監(jiān)測(cè)多種老化同時(shí)發(fā)生時(shí)IGBT模塊的健康狀態(tài)。首先，分析VeE_peak和EMR的產(chǎn)生機(jī)理以及模塊內(nèi)部寄生參數(shù)對(duì)VeE和EMR的影響；其次，分析不同老化對(duì)IGBT模塊內(nèi)部寄生參數(shù)的影響；最后，結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明所提方法的正確性。（剩余13864字）