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摘 要：
在疲勞載荷作用下，絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate bipolar transistor， IGBT）會發(fā)生結(jié)構(gòu)損傷與性能退化，影響電力電子系統(tǒng)可靠性。對此，首先基于傳熱學(xué)理論推導(dǎo)焊層疲勞裂紋長度與熱阻的關(guān)系，并以Darveaux模型表征IGBT焊層裂紋演化規(guī)律，提出一種IGBT性能退化模型及其待定系數(shù)的估計(jì)方法。（剩余13193字）
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基于焊層裂紋擴(kuò)展的IGBT性能退化建模與分析
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