AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)HEMT電學(xué)特性仿真研究

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摘  要： GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）作為寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的代表，在電子電路的應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN HEMT因其高擊穿電壓、高電子遷移率等優(yōu)異性能，適用于各種高頻、高功率器件，并被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)和航空航天等領(lǐng)域。文中利用Silvaco TCAD軟件，定義了AlGaN/GaN單異質(zhì)結(jié)和雙異質(zhì)結(jié)HEMT結(jié)構(gòu)，并對其轉(zhuǎn)移特性、輸出特性、頻率特性和熱特性進(jìn)行了仿真研究。（剩余8880字）