大面積MoS₂薄膜制備及其光電性能研究

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摘  要：二維（2D）半導(dǎo)體薄膜材料作為當(dāng)代光電子器件領(lǐng)域的主力軍，大面積薄膜材料的制備則成為亟待解決的熱點(diǎn)問題。文章通過一種硫（S）化預(yù)生長的氧化鉬（MoO3）的方法實(shí)現(xiàn)大面積二硫化鉬（MoS2）薄膜材料的制備。區(qū)別于傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積（CVD）方法生長材料隨機(jī)成核的特性，文章設(shè)計(jì)利用提前在襯底上預(yù)生長MoO3作為Mo源，以固定MoS2薄膜的成核位點(diǎn)。（剩余6816字）