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摘 要:提出并設(shè)計(jì)名為OD-YOLO缺陷檢測(cè)模型來(lái)改善多晶硅太陽(yáng)電池電致發(fā)光成像中復(fù)雜背景干擾缺陷檢測(cè)效果的問(wèn)題。使用二次卷積模塊(TwiceConv-OD)過(guò)濾掉復(fù)雜晶粒背景干擾,增強(qiáng)模型對(duì)缺陷本身的關(guān)注力;提出anchor-plus1分配策略來(lái)增加模型在面對(duì)復(fù)雜背景時(shí)獲取更多的缺陷正樣本數(shù)量,提升模型的準(zhǔn)確率與召回率,減少漏檢誤檢;使用K-means++算法初始化錨框尺寸,聚類后的錨框更能代表檢測(cè)樣本中所有缺陷的幾何形貌,能更好適應(yīng)多晶硅太陽(yáng)電池的缺陷尺度差異。(剩余16977字)
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復(fù)雜背景下的多晶硅太陽(yáng)電池缺陷檢測(cè)
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