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摘要： 本文提出一步熱化學(xué)氣相沉積法（TCVD）熱解二茂鐵，并直接在硅襯底上制備大面積（1 cm2）、高質(zhì)量碳納米管（CNTs）場(chǎng)致發(fā)射冷陰極陣列的制備工藝. 通過調(diào)控二茂鐵的熱解溫度（650～1000 ℃），獲得了最佳的二茂鐵的碳轉(zhuǎn)化效率以及高結(jié)晶度的碳納米管陣列. 研究了不同熱解溫度下制備的碳納（剩余347字）
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一步TCVD 法制備大面積碳納米管冷陰極及其場(chǎng)致發(fā)射性能研究
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