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摘 要：對基于二維材料的垂直陣列憶阻器進行了研究。面對二維材料生長窗口狹窄，難以制備大面積單晶等挑戰(zhàn)，通過可控電化學沉積沉積了大面積WS3薄膜?；赪S3薄膜制備了垂直陣列結構憶阻器件。對2×2的4個憶阻器單元進行I-V特性掃描，均展現(xiàn)出了雙極性憶阻特性。開關壽命達1.5×104次，對于仿神經(jīng)訓練脈沖信號有著明顯的響應。（剩余7082字）
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電化學沉積WS3薄膜及其憶阻特性研究
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