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摘 要:介紹了一款V波段超寬帶放大器芯片,采用GaAs pHEMT工藝制作。該芯片具有超寬帶、高增益、高效率、小尺寸等優(yōu)點,主要用于射頻信號放大。微波在片測試系統(tǒng)對該芯片實際測試結(jié)果顯示,在50 GHz~66 GHz范圍內(nèi),小信號增益24 dB~26 dB,1 dB壓縮輸出功率大于18 dBm,電流小于120 mA,帶內(nèi)輸入/輸出電壓駐波比小于1.4:1,芯片尺寸為3.20 mm×1.40 mm×0.07 mm。(剩余4176字)
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V波段超寬帶功率放大器芯片的設(shè)計
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