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非晶硅TFT強光穩(wěn)定性的研究及改善

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摘  要：隨著顯示產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，大尺寸、寬色域、高動態(tài)范圍（HDR）和高亮度給薄膜晶體管（TFT）面板帶來了更大的挑戰(zhàn)。經(jīng)過測試，在40 000 nit高亮度背光照明下，經(jīng)過500小時照明，面板的充電能力衰減幅度高達13%。其機理與TFT結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，如柵極的功函數(shù)和柵極絕緣層（GI）的光學帶隙（Eg）。（剩余6939字）

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