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4.16電子伏特！新型硅帶隙創(chuàng)世界紀錄

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美國東北大學科學家主導的國際科研團隊發(fā)現(xiàn)了一種新形式的高密度硅，并開發(fā)出一種新型可擴展的無催化劑蝕刻技術，能將這種硅制成直徑為2～5 nm的超窄硅納米線。這一成果發(fā)表于最新一期《自然·通訊》雜志，有望給半導體行業(yè)帶來革命性變化，還有望應用于量子計算等領域。

十年前，東北大學研究人員在試驗中發(fā)現(xiàn)了擁有“非常非常微小”線狀納米結構的硅。（剩余535字）

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