不同結(jié)構(gòu)及新型材料在硅基光電探測(cè)器上的應(yīng)用展望

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摘 要：      硅基光電探測(cè)器是硅光子集成電路中的核心器件， 在導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)中起著高效探測(cè)目標(biāo)并精確跟蹤目標(biāo)的關(guān)鍵作用。 本文綜述了國(guó)內(nèi)外關(guān)于硅基光電探測(cè)器的研究進(jìn)展和應(yīng)用前景， 并探討了不同結(jié)構(gòu)和材料對(duì)探測(cè)器性能的影響。 通過(guò)回顧相關(guān)文獻(xiàn)并分析研究成果， 重點(diǎn)關(guān)注了PIN結(jié)構(gòu)、 肖特基結(jié)構(gòu)、 GeSn材料和二維材料在硅基光電探測(cè)器中的應(yīng)用情況。（剩余25789字）