基于金剛線切片的鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池

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摘 要：提出一種免空穴傳輸層的策略，將自組裝單分子層材料作為鈣鈦礦活性層的添加劑，通過一步旋涂法直接將鈣鈦礦薄膜制備在導(dǎo)電基底表面，其中薄膜的質(zhì)量與均一性都得到改善。進(jìn)一步地，將該方法應(yīng)用在低成本的商用金剛線切片上，可在高粗糙度的硅表面制備出覆蓋度高、形貌致密、無空洞的鈣鈦礦薄膜。在光電性能方面，用該方法得到的單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率為21%，填充因子高達(dá)83%，兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率為28%。（剩余13811字）