ITO導(dǎo)電玻璃單顆磨粒切削機(jī)理仿真試驗(yàn)研究

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摘要  為研究氧化銦錫（indium tin oxide，ITO）導(dǎo)電玻璃材料的去除機(jī)理，采用單磨粒對(duì)材料進(jìn)行切削仿真，建立了ITO導(dǎo)電玻璃的材料模型，根據(jù)加工表面形貌、應(yīng)力和切削力情況分析了材料去除機(jī)理，之后研究了切削參數(shù)對(duì)切削力和殘余應(yīng)力的影響，并與鈉鈣玻璃進(jìn)行對(duì)比分析。結(jié)果表明：在磨粒的切削過(guò)程中，材料的去除受ITO薄膜層、玻璃基底和內(nèi)聚力接觸行為的共同影響，會(huì)產(chǎn)生分層、通道開裂和層間斷裂等失效形式；隨著磨粒的進(jìn)給，切削力在一定范圍內(nèi)波動(dòng)，且呈現(xiàn)上升、穩(wěn)定、降低的變化，同時(shí)磨粒的切削力與切削速度和切削深度呈正相關(guān)；薄膜上殘余應(yīng)力相比玻璃基底，數(shù)值更大且波動(dòng)更劇烈；當(dāng)切削深度接近ITO薄膜厚度時(shí)，薄膜的存在對(duì)磨粒切削行為的影響顯著。（剩余10730字）