納米劃擦速度對單晶硅去除行為的影響

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摘要  單晶硅作為典型的硬脆材料在不同的劃擦速度下會有不同的應(yīng)變率，進而產(chǎn)生不同的材料去除行為，采用分子動力學(xué)從應(yīng)變率角度研究不同劃擦速度下材料的變形與去除過程。結(jié)果表明：劃擦過程中隨劃擦速度由25 m/s增加到250 m/s，單晶硅的應(yīng)變率從1.25 × 1010s?1提高至1.25 × 1011s?1，其劃擦力、剪切應(yīng)力和摩擦系數(shù)減小，劃擦溫度升高，且劃擦表面的輪廓精度和粗糙度隨劃擦速度的增大而改善。（剩余10781字）