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超寬帶低功耗低噪聲放大器芯片

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摘  要：介紹了一款基于GaAs 0.15 μm pHEMT工藝的2～18 GHz超寬帶低功耗低噪聲放大器芯片的設計，給出了在片測試結(jié)果。該芯片采用結(jié)合有源偏置和并聯(lián)負反饋技術(shù)的改進型共源共柵放大結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以使放大器在超寬帶的工作頻帶范圍內(nèi)實現(xiàn)低噪聲、低功耗和較高增益，同時減小放大器性能對工藝波動的敏感程度。（剩余6585字）

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