硅襯底氮化鎵大失配應(yīng)力調(diào)控方法研究

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摘  要：隨著人工智能技術(shù)的不斷發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）引起研究者們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。但受限于大尺寸、低位錯(cuò)密度的GaN單晶襯底難以制備且稀缺，GaN材料的制備通常采用異質(zhì)外延法，相較于碳化硅（SiC）、藍(lán)寶石等異質(zhì)襯底，硅（Si）襯底GaN材料具有更高的性價(jià)比，在功率轉(zhuǎn)換和通訊方面受到廣泛的關(guān)注。（剩余13172字）