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退火處理對CVD生長石墨烯薄膜功函數(shù)的影響

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DOI： 10.3969/j.issn.1671-7775.2024.03.016

開放科學(xué)（資源服務(wù)）標(biāo)識碼（OSID）：

摘要： 通過退火處理去除了石墨烯薄膜上的吸附氣體和雜質(zhì)，改變了石墨烯表面吸附情況.利用原子力顯微鏡和開爾文掃描探針顯微鏡，對退火處理前后的石墨烯薄膜表面進(jìn)行了原位掃描，分別（剩余9307字）

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