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通過(guò)鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導(dǎo)體通道,日本科學(xué)家制造了三維垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可用來(lái)生產(chǎn)高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件。此外,通過(guò)使用反鐵電體代替鐵電體,他們發(fā)現(xiàn)擦除數(shù)據(jù)只需要很小的凈電荷,從而提高了寫(xiě)入的效率。發(fā)表在2022年IEEE硅納米電子研討會(huì)上的該項(xiàng)成果,將催生新的更小、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。(剩余0字)
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科學(xué)家開(kāi)發(fā)出三維垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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