硅對(duì)鎘脅迫下玉米生長(zhǎng)和抗氧化防御系統(tǒng)的影響

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摘要：為探究硅（Si）對(duì)鎘（Cd）脅迫下玉米的緩解機(jī)制，本研究以玉米幼苗為試驗(yàn)材料，分析Cd污染已經(jīng)存在后，外源施加Si對(duì)玉米的緩解作用。以水培法添加5 μmol/L Cd脅迫20 d后，外源施加1 mmol/L Si溶液，添加Si 處理 7 d 后，測(cè)定玉米的生物量、Cd濃度、Cd積累量和Cd轉(zhuǎn)運(yùn)速率（TF）、活性氧［包括過(guò)氧化氫（H2O2）和超氧陰離子（O-2·）］含量、總抗氧化能力和抗氧化酶［包括超氧化物歧化酶（SOD）、過(guò)氧化物酶（POD）和過(guò)氧化氫酶（CAT）］活性，以及非酶類抗氧化物質(zhì)［包括抗壞血酸（AsA）和還原性谷胱甘肽（GSH）］含量。（剩余16528字）