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三維雕刻法制備定向結構Si3N4/Al電子封裝基片研究

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摘 要：本文以三維雕刻法和鋁合金穿孔熔滲工藝制備了定向結構Si3N4/Al電子封裝基片，研究了不同定向孔直徑對基片軸向導熱系數(shù)和徑向熱膨脹系數(shù)的影響.微觀形貌分析表明Si3N4陶瓷的燒結是主要包括聚團顆粒之間形成粘結和聚團顆粒內部生成β-Si3N4的過程，聚團顆粒尺寸是影響Si3N4陶瓷性能的主要因（剩余11411字）

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