碳化硅功率模塊導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通壓降的測試設(shè)備優(yōu)化

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摘  要：碳化硅功率模塊因其在電力電子領(lǐng)域的卓越性能而備受關(guān)注，主要包括高頻、高壓、耐高溫、快速開關(guān)和低損耗等特點(diǎn)。為了確保碳化硅功率模塊在應(yīng)用中的可靠性，其靜態(tài)特性的研究十分重要。因此，針對已經(jīng)在商用的一款碳化硅功率模塊，提出一種新的碳化硅功率模塊的導(dǎo)通電阻（RDSON）和續(xù)流二極管導(dǎo)通壓降（VF）的測試方法，并對碳化硅功率模塊的參數(shù)測試設(shè)備進(jìn)行改造，可以有效地減少測試時(shí)間，降低測試節(jié)拍，提高測試效率。（剩余6285字）