E波段GaAs PHEMT工藝有源六倍頻器MMIC

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摘  要：基于GaAs贗配高電子遷移率晶體管（PHEMT）工藝設(shè)計了一款輸出頻率在E波段的有源六倍頻器微波單片集成電路（MMIC）。片上集成六倍頻器及輸出驅(qū)動放大器，采用PHEMT管進(jìn)行倍頻，具有較高輸出功率及較小的芯片尺寸。在片探針測試結(jié)果顯示該倍頻器芯片在輸入功率5 dBm時，輸出66～88 GHz頻率范圍內(nèi)，輸出功率大于13 dBm，諧波抑制20 dBc，功耗600 mW，芯片尺寸為3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。（剩余6071字）