脈沖疊加直流激勵(lì)輝光放電特性

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摘要：輝光放電產(chǎn)生的低溫等離子體具有廣泛的應(yīng)用前景，日益成為研究熱點(diǎn)。本文提出了一種采用脈沖疊加直流的方式來激勵(lì)輝光放電的實(shí)驗(yàn)裝置。選取氬氣作為反應(yīng)氣體，本實(shí)驗(yàn)在低氣壓下進(jìn)行，利用參數(shù)可調(diào)的高頻脈沖電源和直流電源進(jìn)行激勵(lì)。研究了不同激勵(lì)方式下?lián)舸╇妷汉碗娏鞯淖兓?guī)律。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：直流輝光放電擊穿電壓最低，約為 380 V，但是在放電過程中放電管發(fā)熱比較嚴(yán)重；脈沖輝光放電所需擊穿電壓為 450～600 V，但其存在反復(fù)擊穿；而脈沖疊加直流激勵(lì)輝光放電則降低了脈沖擊穿電壓，最低約為 400 V，且改善了放電管發(fā)熱嚴(yán)重的問題。（剩余6433字）