一種車用逆變器SiC MOSFET結(jié)溫估計的Simulink建模方法

打開文本圖片集

【摘  要】目前，電動汽車高壓平臺已成為趨勢，電機控制器功率器件由IGBT向SiC MOSFET轉(zhuǎn)換，而針對SiC MOSFET結(jié)溫的相關(guān)研究，很多學(xué)者曾提供了具體的理論公式，但是復(fù)雜的理論計算公式并不能很好地運用在實際開發(fā)過程中。文章基于以上現(xiàn)狀，選擇合適的SiC MOSFET熱阻網(wǎng)絡(luò)模型，將三階RC網(wǎng)絡(luò)通過基爾霍夫第一定律轉(zhuǎn)化為時域的離散方程，進而建立Simulink模型，通過仿真及臺架測試，測試結(jié)果顯示能夠滿足預(yù)期目標(biāo)。（剩余8710字）