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GaN MOS-HEMT生物傳感器對于GOX的靈敏度檢測

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摘  要:文章介紹一種高分辨率的AlGaN/AlN/GaN金屬氧化物半導體——高電子遷移率晶體管(HEMT),并研究GaN MOS-HEMT生物傳感器對于葡萄糖生物標志物GOX(葡萄糖氧化酶)靈敏度檢測的可行性。與傳統(tǒng)用于葡萄糖檢測的生物傳感器進行對比發(fā)現(xiàn),以HfO2作為柵極電解質,可以改善器件性能,增強 MOS-HEMT 器件的漏極電流,提升器件的靈敏度。(剩余5804字)

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