以雙向可控硅為輔助開關的直流固態(tài)斷路器關斷過壓鉗位技術

打開文本圖片集

摘 要：

基于傳統(tǒng)金屬氧化物壓敏電阻的無源過壓鉗位技術僅能將過壓峰值限制在母線電壓的兩倍以上，極大降低了固態(tài)斷路器中半導體開關的額定電壓利用率，進而降低了固態(tài)斷路器的運行效率、功率密度和成本優(yōu)勢。為此，在對傳統(tǒng)過壓鉗位技術分析的基礎上，提出了基于雙向可控硅的有源過壓鉗位技術。利用雙向可控硅更易驅動、能夠雙向導通/阻斷和在毫安級電流下自關斷的特性，簡化了關斷過壓鉗位電路功率結構并設計了專用不控RC驅動電路，降低了電路硬件成本和體積，實現(xiàn)了較好的過壓鉗位效果。（剩余17454字）