基于電場耦合原理的SiC MOSFET開關(guān)電壓感知探頭

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摘  要：功率器件作為電能變換的核心，準(zhǔn)確測量其開關(guān)電壓可以優(yōu)化器件的開關(guān)行為，評(píng)估器件的開關(guān)損耗，為功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供重要指導(dǎo)。以SiC MOSFET為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件具有高速開關(guān)特性，傳統(tǒng)的商用電壓探頭難以同時(shí)滿足低侵?jǐn)_、強(qiáng)抗擾、高帶寬與小體積的測量要求。因此，本文提出了一種基于電場耦合原理的同軸圓柱型電壓探頭。（剩余17922字）