功率器件實際結(jié)溫和殼頂溫度的差異研究

——The study of the temperature gap between the junction and the case top of power device

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摘 要：本文主要研究功率器件的內(nèi)部實際結(jié)溫和外殼頂溫度的差異，給出了測量內(nèi)部實際結(jié)溫的方法。研究表明，不同的器件、不同的封裝類型，不同的內(nèi)部封裝方法，都會直接影響到溫度差異，環(huán)境溫度越高，溫度差值越小;封裝材料越厚，溫度差值越大。

關(guān)鍵詞：結(jié)溫 ;殼頂溫度;紅外測溫

開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設(shè)計過程中，要測量功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金氧半場效晶體管）或 IGBT（Insulated Gate BipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管）結(jié)溫，保證其在合理安全的工作范圍，因為功率器件結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。（剩余2298字）