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摘 要:為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性,本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過程的機理并推導(dǎo)了數(shù)學(xué)模型,表明了MOSFET關(guān)斷過程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真結(jié)果對數(shù)學(xué)模型進行了驗證;設(shè)計了雙脈沖實驗,實驗結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。(剩余4089字)
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結(jié)電容對功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析
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