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非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管制備工藝及性能研究

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摘 要 本文介紹了利用射頻磁控濺射技術在氧化硅襯底上制備非晶氧化銦鎵鋅（a-IGZO）薄膜，對濺射的薄膜進行了不同條件下的特性分析，制備成a-IGZO 薄膜晶體管（a-IGZOTFT），并分別研究了濺射氣氛、有源層厚度和退火工藝對器件電學性能的影響。實驗表明，當使用50W 的濺射功率時，濺射過程中補充氧氣，可以填補材料的深能級氧空位缺陷，提高了器件性能。（剩余13156字）

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