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Ag摻雜TiO2阻變特性的理論研究

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摘要:阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)是一種非易失性存儲(chǔ)器。相比于傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器,阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器的讀寫速度和存儲(chǔ)性能都實(shí)現(xiàn)了重大突破,是公認(rèn)的新一代主流存儲(chǔ)器。但是以TiO2等金屬氧化物為襯底的阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器還存在阻變機(jī)制不清楚的問(wèn)題。采用基于密度泛函理論的第一性原理,研究了Ag摻雜TiO2的阻變特性,研究表明 [001]、[110]、[011]、[111]四個(gè)方向的形成能和表面能均為負(fù),最容易沉積形成表面。(剩余15953字)

試讀結(jié)束

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