Al2O3層厚度對Pb2rO3/Al2O3異質結薄膜儲能性能的影響

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摘要：為了提高Pt/Pb2rO3/Pt電介質電容器的儲能密度，通過熱蒸鍍和自然氧化方法在Pt/Ti/Si02/Si基板上沉積了厚度為0-10nm的Al2O3（AO）層，采用化學溶液沉積法制備Pb2rO3薄膜，研究了Al2O3層厚度對PbZrO/Al2O3（PZO/AO）異質結薄膜儲能性能的影響。結果表明：隨著AO層厚度的增加，PZO/AO異質結薄膜的擊穿電場強度逐漸增大，極化-電場電滯回線由反鐵電特征轉變?yōu)殍F電特征。（剩余4400字）