4英寸GaN襯底MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料研究分析

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關(guān)鍵詞：GaN襯底，AlGaN/GaN HEMT

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GaN作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體，其帶隙寬度較大，熱導(dǎo)率高、電子飽和速度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱穩(wěn)定性好，是制備高溫、高頻、高壓及大功率器件的優(yōu)選材料。面向微波應(yīng)用的AlGaN/GaN 高電子遷移率晶體管（HEMT）方興未艾[1-3]。目前，GaN材料主要通過在SiC、Si和藍(lán)寶石等異質(zhì)襯底上外延獲得，受限于異質(zhì)襯底與外延層之間晶格常數(shù)與熱膨脹系數(shù)的較大差異，GaN外延材料位錯(cuò)密度高達(dá)108～1010 cm-2，影響器件性能和使用壽命。（剩余2892字）