磨粒振動(dòng)對(duì)碳化硅CMP 的微觀結(jié)構(gòu)演變和材料去除的影響

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摘要 針對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光中磨料易團(tuán)聚、機(jī)械和化學(xué)作用不能充分發(fā)揮等問題，采用振動(dòng)輔助的方法進(jìn)行優(yōu)化。通過分子動(dòng)力學(xué)模擬，分析磨粒振動(dòng)的頻率、振幅及其壓入深度、劃切速度對(duì)工件表面微觀原子遷移的演變規(guī)律，揭示振動(dòng)對(duì)材料去除和表面改善的促進(jìn)機(jī)制；并通過振動(dòng)輔助化學(xué)機(jī)械拋光工藝試驗(yàn)和表面成分分析，驗(yàn)證振動(dòng)輔助的拋光效果和去除機(jī)制。（剩余310字）