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單晶SiC 基片干式摩擦化學機械拋光初探

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摘要 針對碳化硅（SiC）基片在拋光過程中效率低、費用高、環(huán)境污染大等問題，提出了一種在干式狀態(tài)下對SiC 基片進行摩擦化學機械拋光的方法（dry tribochemical mechanical polishing， DTCMP）。探究不同工藝參數（磨料種類、磨粒粒徑、磨粒含量、拋光盤轉速、拋光載荷、固相氧化劑含量）對單晶SiC 基片拋光效率和表面質量的影響規(guī)律。（剩余431字）

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