C-H-F 氛圍下金剛石薄膜的低溫CVD 生長過程分析*

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摘要 基于第一性原理的密度泛函理論對C-H-F 氛圍下低溫CVD 金剛石薄膜的生長過程進(jìn)行仿真分析，計(jì)算H、F 原子在氫終止金剛石表面發(fā)生萃取反應(yīng)的吸附能、反應(yīng)熱與反應(yīng)能壘，并分析CF3、CF2、CF 3 種生長基團(tuán)在帶有活性位點(diǎn)基底上的吸附。結(jié)果表明：與H 原子相比，F(xiàn) 原子更容易在氫終止金剛石表面萃出H，并以HF 形式脫附，且在C-H-F 氛圍下有利于在低溫時(shí)產(chǎn)生更多的活性位點(diǎn)；CF3、CF2、CF 基團(tuán)在吸附后的結(jié)構(gòu)和吸附能絕對值都更有利于金剛石相的生成，適當(dāng)提高CF3、CF2、CF 基團(tuán)的濃度有助于實(shí)現(xiàn)金剛石相的更高速率生長。（剩余179字）