不同偏壓下DCMS和DCMS/HiPIMS共濺射銅薄膜的結構和性能

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摘要：采用DCMS（直流磁控濺射）和DCMS/HiPIMS（直流磁控濺射/高功率脈沖磁控濺射）共濺射在不同負偏壓下沉積銅薄膜，使用X射線衍射儀、場發(fā)射掃描電子顯微鏡、白光干涉儀、納米壓痕技術和四點探針法對薄膜的晶體取向、形貌、粗糙度、力學和電學性能進行表征。結果表明：與 DCMS 銅薄膜相比，隨著負偏壓增加，DCMS/HiPIMS共濺射銅薄膜晶粒尺寸先減小后增大，Cu（111）取向減弱，硬度逐漸增大，電阻率逐漸降低；高負偏壓（100 V）下Cu（111）向Cu（220）轉變，薄膜致密，表面粗糙度減小，硬度增大（約3.5 GPa），電阻率降低（約2 μΩ·cm）。（剩余11530字）