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摘要:對于車規(guī)級功率模塊,設(shè)計使用時間往往高達(dá)15年以上。因此對可靠性設(shè)計和封裝工藝控制提出更高的要求,這也大大增加了IGBT模塊封裝技術(shù)的難度。封裝過程中的每一個環(huán)節(jié)都需要精準(zhǔn)設(shè)計和嚴(yán)格控制,從而保證PCM(控制器模塊)功率模塊在實際工況條件下的可靠性、耐久性。通過對某車輛PCM功率模塊腐蝕失效故障的原因分析,經(jīng)過一系列驗證分析,討論了引起PCM腐蝕失效的內(nèi)外部因素,其中包括外部環(huán)境、單品PM結(jié)構(gòu)、IGBT灌封工藝、散熱器外殼制造工藝等因素的影響。(剩余2805字)
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汽車IGBT功率模塊腐蝕絕緣故障分析
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