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摘 要:【目的】隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,集成電路特征尺寸不斷縮小,導(dǎo)致其對(duì)軟錯(cuò)誤更加敏感,因此需要對(duì)集成電路存儲(chǔ)單元進(jìn)行加固?!痉椒ā渴褂肏spice進(jìn)行實(shí)驗(yàn)與仿真,基于PTM32nm CMOS工藝,提出了一種低開(kāi)銷(xiāo)的三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)容忍鎖存器結(jié)構(gòu)?!窘Y(jié)果】該鎖存器包含2個(gè)單節(jié)點(diǎn)自恢復(fù)模塊、1個(gè)二級(jí)錯(cuò)誤攔截模塊、3個(gè)傳輸門(mén)。(剩余7225字)
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一種低開(kāi)銷(xiāo)的三節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)容忍鎖存器設(shè)計(jì)
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