基于SiC與IGBT的驅(qū)動電路設(shè)計

摘要：功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件。目前市面上主流的功率半導(dǎo)體器件有絕緣柵雙極型晶體管（insulate-gate bipolar transistor，IGBT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor， MOSFET）、碳化硅（silicon carbide，SiC）等，并且其設(shè)計逐漸向大功率、高電壓發(fā)展，此時設(shè)計一種穩(wěn)定可靠的驅(qū)動電路就顯得尤為重要。（剩余5958字）