一種高性能、高PSR的LDO設(shè)計(jì)

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摘要：研究分析了傳統(tǒng)低壓差線性穩(wěn)壓器（low dropout regulator，LDO）的結(jié)構(gòu)、電源紋波對(duì)輸出端的影響。針對(duì)傳統(tǒng)LDO 相位裕度不夠，電源電壓抑制（power supply rejection，PSR）效果下降的情況，采用0.35 μm 標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS）工藝設(shè)計(jì)了一款高性能、高PSR 的LDO，在較寬的負(fù)載電流范圍內(nèi)有較好的相位裕度與電源抑制。（剩余6611字）