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碳化硅助力電動汽車續(xù)航和成本的全方位優(yōu)化

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與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元器件的使用，從而進一步降低了設計的

復雜程度。SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。（剩余1012字）

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