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低維電子材料的理論設計與性能調控研究

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[摘 要]文章首先闡述了低維電子材料的基本框架理論，其中主要包括單電子近似理論與Hartree-Fock方程的發(fā)展與應用。而后解讀分析了點缺陷、線缺陷對低維電子材料晶格結構與性能的影響。最后以二硫化鎢（WS2）片層材料與墨相氮化碳（g-c3n4）的設計性能調節(jié)為例，分別從低維平行應力與化學修飾兩個要素層面，分析了與低維電子材料設計功能實現(xiàn)與性能調控有關的問題。（剩余5518字）

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