顯微組織對Si₃N₄陶瓷基板熱導(dǎo)率的影響

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摘要：采用電子背散射衍射、晶界面分布五參數(shù)分析和激光閃射等方法研究了國外生產(chǎn)的3種商用Si3N4陶瓷基板的顯微組織和熱導(dǎo)率。結(jié)果表明，燒結(jié)助劑含量較低、平均晶粒尺寸較大且{h k -（h+k） 0}∥ND絲織構(gòu)較強的基板，ND為基板板面法向，其面內(nèi)熱導(dǎo)率較高；反之亦然。3種Si3N4陶瓷基板的晶界取向差分布雖總體符合隨機分布，但在取向差轉(zhuǎn)角為180°位置明顯偏離隨機分布，這部分晶界的旋轉(zhuǎn)軸以〈1 1 -2 0〉和〈1 0 -1 0〉為主，分別為∑3和∑2晶界，其晶界面分布和晶界界面匹配在3種基板中存在明顯差異，但是由于這類晶界占總晶界的比例在3種基板中均不超過0.5%，尚不能對熱導(dǎo)率產(chǎn)生明顯影響。（剩余8286字）